HAST高压加速老化试验机工作时的压力因素
一、HAST高压加速老化试验机环境测试项目（Environmentaltestitems）
PRE-CON,THB,HAST,PCT,TCT,TST,HTST,SolderabilityTest,SolderHeatTest
①PRE-CON:预处理测试（PreconditionTest）
目的:模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。
②THB:加速式温湿度及偏压测试（TemperatureHumidityBiasTest）
目的:评估IC产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程测试条件:85℃，85%RH,1.1VCC,Staticbias
失效机制：电解腐蚀
参考标准:
JESD22-A101-D
EIAJED-4701-D122
③高加速温湿度及偏压测试（HAST:HighlyAcceleratedStressTest）
目的:评估IC产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程
测试条件:130℃，85%RH,1.1VCC,Staticbias，2.3atm
失效机制：电离腐蚀，封装密封性
参考标准: JESD22-A110
④PCT:高压蒸煮试验PressureCookTest（AutoclaveTest）
目的:评估IC产品在高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程测试条件:130℃，85%RH,Staticbias，15PSIG（2atm）
失效机制：化学金属腐蚀，封装密封性
参考标准:JESD22-A102；EIAJED-4701-B123
*HAST与THB的区别在于温度更高，并且考虑到压力因素，实验时间可以缩短，而PCT则不加偏压，但湿度增大。
⑤TCT:高低温循环试验（TemperatureCyclingTest）
目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。
测试条件:
ConditionB:-55℃to125℃
ConditionC:-65℃to150℃
失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层
参考标准:
MIT-STD-883EMethod1010.7
JESD22-A104-A
EIAJED-4701-B-131
⑥TST:高低温冲击试验（ThermalShockTest）
目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。
测试条件:
ConditionB:-55℃to125℃
ConditionC:-65℃to150℃
失效机制：电介质的断裂，材料的老化（如bondwires）,导体机械变形
参考标准：
MIT-STD-883EMethod1011.9
JESD22-B106
EIAJED-4701-B-141
*TCT与TST的区别在于TCT偏重于package的测试，而TST偏重于晶园的测试
⑦HTST:高温储存试验（HighTemperatureStorageLifeTest）
目的:评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。
测试条件:150℃
失效机制：化学和扩散效应，Au-Al共金效应
参考标准:
MIT-STD-883EMethod1008.2
JESD22-A103-A
EIAJED-4701-B111
⑧可焊性试验（SolderabilityTest）
目的:评估ICleads在粘锡过程中的可靠度
测试方法:
Step1：蒸汽老化8小时
Step2：浸入245℃锡盆中5秒
失效标准（FailureCriterion）：至少95％良率
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883EMethod2003.7
JESD22-B102
⑨SHTTest:焊接热量耐久测试（SolderHeatResistivityTest）
目的:评估IC对瞬间高温的敏感度
测试方法:侵入260℃锡盆中10秒
失效标准（FailureCriterion）：根据电测试结果
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883EMethod2003.7
EIAJED-4701-B106
二、耐久性测试项目（Endurancetestitems）
Endurancecyclingtest,Dataretentiontest
①周期耐久性测试（EnduranceCyclingTest）
目的:评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能
TestMethod:将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次
测试条件:室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k
参考标准:MIT-STD-883EMethod1033
②数据保持力测试（DataRetentionTest）
目的:在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失
测试条件:在高温条件下将数据写入memory存储单元后，多次读取验证单元中的数据
失效机制：150℃
HAST高压加速老化试验机参考标准：
MIT-STD-883EMethod1008.2
MIT-STD-883EMethod1033
PRE-CON,THB,HAST,PCT,TCT,TST,HTST,SolderabilityTest,SolderHeatTest
①PRE-CON:预处理测试（PreconditionTest）
目的:模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。
②THB:加速式温湿度及偏压测试（TemperatureHumidityBiasTest）
目的:评估IC产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程测试条件:85℃，85%RH,1.1VCC,Staticbias
失效机制：电解腐蚀
参考标准:
JESD22-A101-D
EIAJED-4701-D122
③高加速温湿度及偏压测试（HAST:HighlyAcceleratedStressTest）
目的:评估IC产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程
测试条件:130℃，85%RH,1.1VCC,Staticbias，2.3atm
失效机制：电离腐蚀，封装密封性
参考标准: JESD22-A110
④PCT:高压蒸煮试验PressureCookTest（AutoclaveTest）
目的:评估IC产品在高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程测试条件:130℃，85%RH,Staticbias，15PSIG（2atm）
失效机制：化学金属腐蚀，封装密封性
参考标准:JESD22-A102；EIAJED-4701-B123
*HAST与THB的区别在于温度更高，并且考虑到压力因素，实验时间可以缩短，而PCT则不加偏压，但湿度增大。
⑤TCT:高低温循环试验（TemperatureCyclingTest）
目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。
测试条件:
ConditionB:-55℃to125℃
ConditionC:-65℃to150℃
失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层
参考标准:
MIT-STD-883EMethod1010.7
JESD22-A104-A
EIAJED-4701-B-131
⑥TST:高低温冲击试验（ThermalShockTest）
目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。
测试条件:
ConditionB:-55℃to125℃
ConditionC:-65℃to150℃
失效机制：电介质的断裂，材料的老化（如bondwires）,导体机械变形
参考标准：
MIT-STD-883EMethod1011.9
JESD22-B106
EIAJED-4701-B-141
*TCT与TST的区别在于TCT偏重于package的测试，而TST偏重于晶园的测试
⑦HTST:高温储存试验（HighTemperatureStorageLifeTest）
目的:评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。
测试条件:150℃
失效机制：化学和扩散效应，Au-Al共金效应
参考标准:
MIT-STD-883EMethod1008.2
JESD22-A103-A
EIAJED-4701-B111
⑧可焊性试验（SolderabilityTest）
目的:评估ICleads在粘锡过程中的可靠度
测试方法:
Step1：蒸汽老化8小时
Step2：浸入245℃锡盆中5秒
失效标准（FailureCriterion）：至少95％良率
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883EMethod2003.7
JESD22-B102
⑨SHTTest:焊接热量耐久测试（SolderHeatResistivityTest）
目的:评估IC对瞬间高温的敏感度
测试方法:侵入260℃锡盆中10秒
失效标准（FailureCriterion）：根据电测试结果
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883EMethod2003.7
EIAJED-4701-B106
二、耐久性测试项目（Endurancetestitems）
Endurancecyclingtest,Dataretentiontest
①周期耐久性测试（EnduranceCyclingTest）
目的:评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能
TestMethod:将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次
测试条件:室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k
参考标准:MIT-STD-883EMethod1033
②数据保持力测试（DataRetentionTest）
目的:在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失
测试条件:在高温条件下将数据写入memory存储单元后，多次读取验证单元中的数据
失效机制：150℃
HAST高压加速老化试验机参考标准：
MIT-STD-883EMethod1008.2
MIT-STD-883EMethod1033
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